三极管基础知识及检测方法
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雙極結型三極管相當於兩個背靠背的二極體 PN 結。正向偏置的 EB 結有空穴從發射極注入基區，其中大部分空穴能夠到達集電結的邊界，並在反向偏置的 CB 結勢壘電場的作用下到達集電區，形成集電極電流 IC 。在共發射極電晶體電路中 , 發射結在基極電路中正向偏置 , 其電壓降很小。絕大部分 的集電極和發射極之間的外加偏壓都加在反向偏置的集電結上。由於 VBE 很小，所以基極電流約爲 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。
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如果電晶體的共發射極電流放大係數β = IC / IB =100, 集電極電流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集電極負載電阻上有電壓降VRC=10mA*500Ω=5V，而電晶體集電極和發射極之間的壓降爲VCE=5V，如果在基極偏置電路中疊加一個交變的小電流ib，在集電極電路中將出現一個相應的交變電流ic，有c/ib=β，實現了雙極電晶體的電流放大作用。
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金屬氧化物半導體場效應三極管的基本工作原理是靠半導體表面的電場效應，在半導體中感生出導電溝道來進行工作的。當柵 G 電壓 VG 增大時， p 型半導體表面的多數載流子棗空穴逐漸減少、耗盡，而電子逐漸積累到反型。當表面達到反型時，電子積累層將在 n+ 源區 S 和 n+ 漏區 D 之間形成導電溝道。當 VDS ≠ 0 時，源漏電極之間有較大的電流 IDS 流過。使半導體表面達到強反型時所需加的柵源電壓稱爲閾值電壓 VT 。當 VGS>VT 並取不同數值時，反型層的導電能力將改變，在相同的 VDS 下也將産生不同的 IDS , 實現柵源電壓 VGS 對源漏電流 IDS 的控制。
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二、電晶體的命名方法
電晶體：最常用的有三極管和二極體兩種。三極管以符號BG（舊）或（T）表示，二極體以D表示。按製作材料分，電晶體可分爲鍺管和矽管兩種。
按極性分，三極管有PNP和NPN兩種，而二極體有P型和N型之分。多數國產管用xxx表示，其中每一位都有特定含義：如 3 A X 31，第一位3代表三極管，2代表二極體。第二位代表材料和極性。A代表PNP型鍺材料；B代表NPN型鍺材料；C爲PNP型矽材料；D爲NPN型矽材 料。第三位表示用途，其中X代表低頻小功率管；D代表低頻大功率管；G代表高頻小功率管；A代表高頻大功率管。最後面的數位是産品的序號，序號不同，各種 指標略有差異。注意，二極體同三極管第二位意義基本相同，而第三位則含義不同。對於二極體來說，第三位的P代表檢波管；W代表穩壓管；Z代表整流管。上面 舉的例子，具體來說就是PNP型鍺材料低頻小功率管。對於進口的三極管來說，就各有不同，要在實際使用過程中注意積累資料。
常用的進口管有韓國的90xx、80xx系列，歐洲的2Sx系列，在該系列中，第三位元含義同國產管的第三位基本相同。
三、 常用中小功率三極管參數表
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型號
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材料與極性
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Pcm(W)
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Icm(mA)
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BVcbo(V)
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ft(MHz)
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3DG6C
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SI-NPN
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0.1
|
20
|
45
|
>100
|
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3DG7C
|
SI-NPN
|
0.5
|
100
|
>60
|
>100
|
|
3DG12C
|
SI-NPN
|
0.7
|
300
|
40
|
>300
|
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3DG111
|
SI-NPN
|
0.4
|
100
|
>20
|
>100
|
|
3DG112
|
SI-NPN
|
0.4
|
100
|
60
|
>100
|
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3DG130C
|
SI-NPN
|
0.8
|
300
|
60
|
150
|
|
3DG201C
|
SI-NPN
|
0.15
|
25
|
45
|
150
|
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C9011
|
SI-NPN
|
0.4
|
30
|
50
|
150
|
|
C9012
|
SI-PNP
|
0.625
|
-500
|
-40
|
|
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C9013
|
SI-NPN
|
0.625
|
500
|
40
|
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C9014
|
SI-NPN
|
0.45
|
100
|
50
|
150
|
|
C9015
|
SI-PNP
|
0.45
|
-100
|
-50
|
100
|
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C9016
|
SI-NPN
|
0.4
|
25
|
30
|
620
|
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C9018
|
SI-NPN
|
0.4
|
50
|
30
|
1.1G
|
|
C8050
|
SI-NPN
|
1
|
1.5A
|
40
|
190
|
|
C8580
|
SI-PNP
|
1
|
-1.5A
|
-40
|
200
|
|
2N5551
|
SI-NPN
|
0.625
|
600
|
180
|
|
|
2N5401
|
SI-PNP
|
0.625
|
-600
|
160
|
100
|
|
2N4124
|
SI-NPN
|
0.625
|
200
|
30
|
300
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